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第376章 PMOS（第3页）

高振东问道，这个精度涉及到扩散掺杂效果。

这个鲁总工清楚：“这个到不了，有点差距，主要是传感器问题。”

现在他们用的K型热电偶，测温范围没有问题，但是精度就差不少了，2.5摄氏度或者千分之7.5，对于这个精度要求差了老远。

高振东想了想，没有推荐B型热电偶，B型的千分之2.5的误差也差点意思，而且反应速度慢。

“加一个铂电阻吧，间接测量，作为辅助传感器，配合K型热电偶，加上DJS-60D跑PID控制算法，应该是能控制得住的。”

铂电阻反应速度也慢，不过这个可以算法手段加以某种程度上的解决，铂电阻精度就远超需求了，最好的可以到千分之三摄氏度。

铂电阻最大的问题还是测温范围问题，半导体生产中需要用到1000摄氏度以上的范围，是超过铂电阻的测温范围的，不过间接测量设计得好的话，问题不大。

所以高振东拿出了铂电阻间接测量+K型热电偶直接测量的办法，一个测得准，一个测得快，双剑合璧，天下无敌。

他不知道日后的扩散炉是怎么解决这个问题的，反正在他这里，他就这么解决。

之所以这个扩散炉这么重要，主要是很多工序都靠这个。

氧化、淀积、扩散、扩散-氧化，这些都靠这玩意了。

扩散-氧化本来还有一种工艺的，但是高振东没有选，因为选择那种工艺会多出来一种叫做外延反应系统的设备，那就麻烦了。

所以高振东选择的还是能靠扩散炉完成“热氧化法”

。

高振东想了想，又给了一笔支持：“到时候我这边支持你们一些专门搞计算机控制和热电偶应用的技术人员，负责配合你们搞这个事情。”

鲁总工他们这下放下了心，高总工这里的精兵强将亲自支援，那就好办多了。

高振东也很开心，PMOS技术芯片制造阶段的三大核心设备，一个光刻机，一个扩散炉都有了，就剩下一个了。

“吕厂长，真空蒸镀设备现在是个什么情况？”

在1274厂的现状上面没有发现这东西，情况可能不容乐观。

吕厂长摇摇头：“没有，以前我们都用不上这个。”

真空蒸镀，在真空条件下蒸发金属，在工件表面形成金属镀层的设备，在芯片制造业，它的升级版是溅射设备。

不过溅射设备是用于钽、铌等金属的，它们的溅射特性好，而芯片内布线大量使用的铝就不同了，一直是蒸发。

不过蒸发也有几种，有电阻加热的，直接用钨等金属电阻材料加热高纯铝，形成金属蒸气，完成蒸镀。

还有一种是电子束蒸发，这个可以避免电阻加热的一些坏处，比如加热电阻与工艺中的氧化气氛接触，会把自己给蒸了，甚至它们会和被蒸发的金属起反应，这就更难绷了。

高振东想了想：“那我们搞个电阻蒸镀机吧。”

电子束蒸发是要靠磁场精准偏转电子束打到靶材上进行加热的，先不说高能电子束的来源问题，这个磁场怎么来都是一个问题，永磁体就不用想了，电磁场，以现在的条件来说也是个问题。

反倒是技术落后的电阻加热，在现在是更加可行的，每一项技术的存在，总是有它的理由的。

反正现在这个也不是什么要求很高的制程，所以整个集成电路工艺在高振东看起来虽然充满了凑合、将就的意思，但是在这个阶段，差不多就是最合适的了。

不过，1274厂的两位，明显不觉得这套工艺是凑合或者将就。

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