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第279章 华夏芯片立项（第4页）

高正谦也闪过抹意外，急忙追问道：“也就是说，这光刻工厂有13.5纳米波长的极紫外光？”

“不！”

陈星摇了摇头，全盘托出道：“它不仅有13.5纳米波长的极紫外光，它还有3纳米、7纳米、1o纳米、2o纳米、28纳米，甚至连48纳米的深紫外光都有。”

高正谦：“……”

顾仁：“……”

众席：“……”

他们彻底懵逼了。

这光刻工厂到底什么玩意，居然可以出这么多光源，他们真的闻所未闻。

陈星看着他们惊讶的表情，浇了盘冷水道：“我们只测试了13.5纳米波长的极紫外光，其他光源都没有测试，而且光刻工厂还存在能源问题，所以保守点，设计7纳米芯片是最稳妥的。”

在他看来，哪怕其他光源不能使用，只要13.5纳米的极紫外光能用就行了。

因为有多重曝光技术，13.5纳米波长的极紫外光，理论光刻极限是3纳米的芯片。

但光刻3纳米芯片，需要四块光掩膜版配合，光刻步骤和成本太大了，7纳米只需要一次，各方面的性价比都是最高的。

然而。

高正谦不这样想。

只见他双手放在桌面，表情严肃道：“既然13.5纳米的极紫外光已经验证成功，那7纳米、5纳米，甚至是3纳米的极紫外光肯定也八九不离十，我建议是要么上5纳米，要么就是3纳米拉满。”

“这个是狼人。”

顾仁心中喃喃自语。

其他席也被这番话惊到，3纳米拉满这句话太可怕，这已经是要挑战晶体管极限了。

因为纳米等级越小，栅极就会越小，一旦栅极过小，就会现漏电的情况。

而芯片的计算，其实就是o和1，一旦某个栅极漏电出错，计算的数据就会不同。

根据世界半导体联盟布的期刊内容，它们认为晶体管最小纳米是3纳米，一旦过3纳米，也就是3纳米以下，就有可能出现隧穿效应，导致漏电的情况生。

“有把握吗？”

陈星尊重高正谦的选择。

他也相信，林天的光刻工厂是可以制造3纳米芯片的，因为这两人从来没有让他失望过。

“1oo%！”

高正谦嘴角带笑回应。

刚说完，他讲述道：“根据我的研究，晶体管极限可能是在2纳米，也有可能是在1纳米，但绝不可能是3纳米，设计3纳米芯片，我有1oo%的信心可以完成。”

“好！”

陈星重重点头，委派任务道：“既然这样，那高席伱们团队负责3纳米芯片的研，项目代号为华夏，六个月内，我需要见到芯片的电路设计图。”

他本想着求稳，但既然高正谦都这样说了，他也愿意承担未来可能生的风险。

哪怕光刻工厂的3纳米极紫外光不能使用，他还有多重曝光技术，3纳米芯片是肯定能造的，只不过是成本多少的问题罢了。

“六个月，足矣。”高正谦淡淡回应，他的嘴角依旧挂着那抹标志性的笑容。

（本章完）

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