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第590章（第1页）

“陆总，深越光确实需要面板技术。”

胡煜华看向坐在高背皮椅上的陆飞，“可这么换，我们是不是太吃亏了？”

陆飞笑道：“吃亏？你觉得OLED、AMOLED专利换3DNAND闪存不值得？”

“当然！”

胡煜华不假思索地点头，“NAND闪存本来是东芝创造的，之所以后来被三星反超，不就是三星率先研发出1GB内存，才牢牢占据全球第一的市场份额吗？

现在我们更是从2D直接突破到3D，再加上NOR闪存已经取得的优势，完全有机会把三星拉下马！”

“你说得不是没有道理。”

陆飞嘴角上扬，“但如果我告诉你，东芝和我们合作的BISC技术有缺陷呢？”

“不会吧陆总？缺陷在哪？”

胡煜华瞪大眼睛。

“我们实验得出的几项关键数据，跟东芝的完全不一样，差得还不是一点点。”

“您是说东芝又在数据上造假了？”

“这个‘又’字用的很对！”

陆飞不爽地撇撇嘴，日企仔技术资料和研究数据上造假早就是惯犯，蜜月期的时候就被坑惨啦，设备、零部件乃至原料全都有鬼。

三峡工程就差点招标霓虹造假的钢铁。

狗屁的工匠精神！

东芝根本没法做出有效的BiCS，本来整个工艺是交替沉积氧化物（SiO）层和多晶硅（pSi）层实现的，然后在这个层堆叠中形成一个通道孔，填充氧化物—氮化物—氧化物（ONO）和pSix。

接着沉积光刻胶，在连续的蚀刻流程后，光刻胶修整再蚀刻出个阶梯，形成互连。

最后一步，蚀刻出一个槽再填充氧化物。

然而问题不是出在第三步的光刻胶蚀刻，就是出在流片封测上，哪怕侥幸成功，粗粗一算，良品率低得简直令人发指——

才6.3％！

“陆总，东芝难道就没有一个说法吗！”

胡煜华愤愤不平道：“这个项目我们已经砸了2.2亿美刀啊！”

“能有什么说法？”

陆飞拳头攥紧，积压着火：“东芝负责这个项目的技术总工割腕住院，会计卧轨死了，西田这个王八蛋把腰一弯，说句‘红豆泥斯密马赛’就想死不认账，吗的，哪有这么便宜的事！这群小霓虹我怀疑是组团忽悠我们，背地里一直在贪污研发经费。”

“这也太无耻了吧？”

胡煜华万万没想到东芝能这么臭不要脸，一时无语道：“那我们不是白折腾了吗？”

“哈哈哈，不白折腾。”

陆飞转怒为喜，“东芝敢这么干，不就欺我逻辑无能人嘛？

可巧了，我们还真有人！

朱一明觉得先栅极行不通，能不能试一试后栅极，交替氧化物层和氮化物层，结果他们真捣鼓出一个有别于‘BiCS’的新工艺，叫‘TCAT’，TerabitCellArrayTransistor。”

（ps：三星就是这个工艺）

“陆总，流片封测的结果怎么样？”

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